?金屬氧化物半導體（MOS）和碳化硅（SiC）MOS是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件中的應用具有顯著的區別。金屬氧化物MOS主要基于金屬氧化物材料如氧化銦錫（ITO）、氧化鋅（ZnO）等，而碳化硅MOS則基于碳化硅（SiC）材料，這兩種材料在導電性、耐高溫性能、應用領域和制造工藝等方面各具特點。YFW佑風微半導體對金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的主要區別做以下分享，幫助理解它們在現代電子技術中的不同應用。
肖特基二極管因其低正向壓降和快速的開關特性，廣泛應用于各種電源電路和高頻電路中。在某些高電流需求的場合，為了提高電流承載能力和系統的可靠性，可能會考慮將多個肖特基二極管組成肖特基橋，并進行并聯使用。那么，肖特基橋是否可以并聯使用呢？
